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晶圆芯片烘箱红外测温仪找PLUSFO 红外热成像仪 红外测温仪 黑体炉 红外测温仪 高温计
2024-03-27 10:15:42   279
价格:16800.00 人民币
产地:厦门
执行标准:行标
加工定制:
平均消耗功率:0.2W
生产许可证:GB/T2002-10-2
订购数量: - +
商品参数 商品详情
详细参数
产地厦门执行标准行标
加工定制平均消耗功率0.2W
生产许可证GB/T2002-10-2温控精度0.5%
生产厂家倍加孚(厦门)科技有限公司电源DC24V
转速10RPM产品认证CE
加工定制

晶圆芯片烘箱红外测温仪找PLUSFO 红外热成像仪 红外测温仪 黑体炉 红外测温仪 高温计

2500℃双色红外测温仪红外高温计 石墨烯,冶金,真空炉,工业炉专用

3000℃ 红外测温仪高温计 钢铁、冶金、气氛炉、窑炉专用

废液炉/裂解炉红外双色高温测温系统 固废焚烧二燃室专用

工业炉、加热炉、炉内红外双色测温系统

FIR-1200 玻璃加工同轴激光瞄准红外测温仪

红外探头用于测量窑炉、炉中的玻璃、熔化池、蓄热室、澄清池、料道、料滴、模具、浮法线和退火炉,以及冷却区和镀膜区的温度。有效的温度测量反映了加热或冷却过程的状况,如蓄热室是否变得太热或太冷,锡槽和退火炉区域的温度是否正确等等。对熔融状态到冷却过程的仔细检测可保证玻璃在每一个制造过程都能保持其特性。


主要参数:测 温 范 围:0℃~1200℃
测 量 精 度:读数值的±1%
重 复 精 度:读数值的±0.5%
工 作 波 段:8um~14um
距 离 系 数:80:1
瞄 准 方 式:同轴激光瞄准
产品概述
FIR-700、FIR-1200系列在线式红外测温仪集非接触温度测量和微型计算机技术于一体,采用同轴激光瞄准,可直观、精准的测量目标温度。仪器测量范围宽,从-18℃~1200℃。输出标准的4~20mA模拟信号或RS485数字信号,可与二次仪表直接连接,或多台仪器组网进行数据通信,组网时最多可接入32台测温仪
仪器特点
*     不锈钢外壳,坚固耐用
*     测量精度高,重复测量稳定
*     距离系数大,响应速度快
*     内部电源隔离,可用于恶劣的工业现场
*     体积小,同轴激光瞄准,安装、调试方便
*     拨码调整发射率,调整范围0.10~1.00
*     模拟输出4~20mA,可与标准二次仪表连接
*     数字RS485输出,可单台安装,或多台组网安装,一个多点网络最多安装32个测温仪。通讯距离达1200米。提供通讯协议和演示软件,便于客户的二次开发
*     有水冷套供选择,使仪器工作环境温度提高至150℃

技术指标

FIR-1200-A FIR-1200-B
测温参数 测温范围 0℃~1200℃
测量精度 读数值的±1%
重复精度 读数值的±0.5%
分辨率 1℃
响应时间 小于200ms
发射率 0.10~1.00可调,步长0.01
光学参数 工作波段 8um~14um
距离系数 80:1
瞄准方式 同轴激光瞄准
电气参数 电源 24VDC±10% 100mA
输出信号 4~20mA RS485
环境参数 工作温度 -18℃~50℃,带水冷可到150℃
存储温度 -20℃~70℃
相对湿度 10%~90%RH不冷凝
物理参数 外壳材料 不锈钢
仪器尺寸 175mm~¢46mm
重量 500g
电缆长度 5m(标配),特殊长度需要定制

应用领域
广泛应用于冶金、铸造、锻造、感应加热、热处理、窑炉、玻璃加工、印染、干燥、塑料加工等行业的工艺控制和设备故障诊断,以及节能产业和科学研究。
关键词:轧线棒材钢坯双色测温仪 金属注射成型烧结炉红外测温仪 真空氢气炉红外测温仪

真空热压炉红外测温仪 核管退火炉红外测温仪 晶体材料红外测温仪 晶圆高温处理炉红外线测温仪

氮化硅气压炉红外测温仪 真空淬火炉高温计 碳化钨气压炉红外测温仪  CVD 化学气相沉积炉

石墨纯化红外测温仪 旋转粉末烧结炉红外测温仪 真空感应熔铸炉红外测温仪 热风炉拱顶红外双色测温装置



RF-4A30本系列产品同样适用于各类窑炉测温,如水泥,环保,玻璃等行业
热风炉是为高炉加热鼓风设备,是现代高炉不可缺少的重要组成部分。现代高炉多采用蓄热式热风炉,其工作原理是先燃烧煤气,用产生的烟气加热蓄热室的格子砖,再将鼓风站送来的冷风通过炽热的格子砖进行加热.。将热风炉轮流交替地进行燃烧和送风,使高炉连续获得高温热风。热风炉拱顶的温度,是安全、准确操作热风炉所必需的重要数据。
1、传统热风炉温度的检测是通过热电偶来测量,采用装配式铂铑—铂热电偶或双铂铑热电偶,通过测量拱顶保温墙的温度,间接地控制热风温度。
2、热风炉耐火材料内衬在高温、高压环境下,工作条件十分恶劣。热电偶对使用环境的要求和本身结构的限制,在温度变化频繁压力波动大和振动的场合,造成了热电偶测温不准确、反应滞后,不能准确反应炉内温度的变化。
3、热电偶长期工作在高温区1200℃~1300℃,热电偶接线盒所处环境温度亦高达100~120℃,致使电偶的使用寿命很短,从几周到几个月不等。增加了使用成本和维护工作量。
4、为了克服上述缺点,本公司设计生产的热风炉拱顶红外测温系统能很好地解决了以上问题,可确保红外测温系统在复杂的环境下可靠工作。
5、该产品除了用于热风炉测温外,也可以用于加热炉内温度的测量。

高精度的双色红外测温仪 红外高温计石墨烯,冶金,真空炉专用

RF-4A30石墨烯高温炉红外测温仪

RF-4A25感应加热红外测温仪 碳化硅炉专用

固定式红外测温仪 在线红外线测温仪 双色红外测温仪 激光高温红外测温仪 高温红外测温仪 双色高温计 比色高温测温仪 激光双色红外测温仪 双色高温红外测温仪 比色在线高温计 非接触激光红外测温仪 远红外高温温仪 辐射高温计

石墨坩埚晶体硅液面双色高温计 

多晶硅铸锭炉红外测温仪 生产厂家

RF-4A14石墨坩埚光纤式红外线测温仪 
DCTQ1-7014多晶硅液面温度红外测温仪 
DCTQ2-3514多晶硅液面温度测量仪


1、概述

多晶硅是单质硅的一种形态,其纯度要比单晶硅低,它可作拉制单晶硅的原料。多晶硅由多晶硅铸锭炉生产出来。
多晶硅的生产是把高纯多晶硅料装入到铸锭炉中,抽真空后,将硅料熔化成液态,通过铸锭炉的自动化的操作,使硅料形成一个竖直温度梯度。液态硅自下向上缓慢地重新结晶,生成一块大晶粒的多单晶体的铸锭硅来。硅锭经过退火、冷却后出炉完成整个铸锭过程。

目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有:改良西门子法、硅烷法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的80%。生产工艺以改良西门子法为例:


(1)装料
将装有涂层的陶瓷坩埚放置在热交换台(冷却板)上,放入适量的硅原料,然后安装加热设备、隔热设备和炉罩,将炉内抽真空,使炉内压力降至(0.05-0.1)mbar并保持真空。通入氩气作为保护气,使炉内压力基本维持在(400~600)mbar左右。
(2)加热
利用石墨加热器给炉体加热,首先使石墨部件(包括加热器、坩埚板、热交换台等)、隔热层、硅原料等表面吸附的湿气蒸发,然后缓慢加温,使陶瓷坩埚的温度达到1200℃~1300℃左右,该过程约需要4h~5h。
(3)化料
通入氩气作为保护气,使炉内压力基本维持在(400~600)mbar左右。逐渐增加加热功率,使陶瓷坩埚内的温度达到1500℃左右,硅原料开始熔化。熔化过程中一直保持1500℃左右,直至化料结束。该过程约需要9~11h。
(4)晶体生长
硅原料熔化结束后,降低加热功率,使陶瓷坩埚的温度降至1420℃~1440℃硅熔点左右。陶瓷坩埚逐渐向下移动,或者隔热装置逐渐上升,使得坩埚慢慢脱离加热区,与周围形成热交换;同时,冷却板通水,使熔体的温度自底部开始降低,晶体硅首先在底部形成,并呈柱状向上生长,生长过程中固液界面始终保持与水面平行,直至晶体生长完成,该过程约需要20h~22h。
(5)退火
晶体生长完成后,由于晶体底部和上部存在较大的温度梯度,因此,晶锭中可能存在热应力,在硅片加工和电池制备过程中容易造成硅片碎裂。所以,晶体生长完成后,晶锭保持在熔点附近2h~4h,使晶锭温度均匀,以减少热应力。
(6)冷却
晶锭在炉内退火后,关闭加热功率,提升隔热装置或者完全下降晶锭,炉内通入大流量氩气。使晶体温度逐渐降低至室温附近;同时,炉内气压逐渐上升,直至达到大气压,最后去除晶锭,该过程约需要10h。
对于重量为250~300kg的铸造多晶硅而言,一般晶体生长的速度约为(0.1~0.2)mm/min,其晶体生长的时间约35~45h。
2、多晶硅红外温度测量
硅材料是比较难测的物体,硅辐射的温度与发射率的对应关系如上图。硅的发射率在某个特定区域内是不变的。需要红外测温仪采用特殊的窄带滤色片来减小发射率变化的影响。
(1)多晶硅液面温度测量
采用短波长双色测温仪来测量多晶硅液面的温度。推荐产品:DCTQ1-7XXX(链接DCTQ系列双色红外测温仪),温度分辨率为0.1℃,温度场内的微小变化都能快速响应,并具有极高的温度稳定性。
采用比色测温的方法,可以避免硅料直径变化的影响。视窗的污染,也不会影响测温的准确性。并有脏镜头检测功能,镜头太脏时会提前发出信号,保证系统可靠工作。
石墨坩埚光纤式红外测温仪产品特点如下:
测温精度可达0.5%,重复精度为2℃,温度分辨率达0.1℃(16bit)
响应时间10ms~99.99s可调
采用可调焦镜头,测量距离0.35m至无穷远
对探测器采用PID恒温控制,消除环境温度对测量的影响
可视目镜,清晰显示被测目标的位置及大小
兼具双色和单色测温功能
双色模式下,有镜头脏检测功能
采用工业级OLED屏为显示界面,人机界面友好
软硬件等抗干扰设计提高系统稳定性,可抗2500VDC脉冲群干扰
使用场合有防爆要求时,在测量液面的区域,推荐使用光纤式双色红外测温仪。推荐产品:SN-7018(链接SN系列光纤式双色测温仪)。采用可调焦镜头和红色激光光源瞄准,温度分辨率为0.1℃,具有极高的温度稳定性。采用比色测温的方法,可以避免硅料直径变化的影响。视窗的污染,也不会影响测温的准确性。并有脏镜头检测功能,镜头太脏时会提前发出信号,保证系统可靠工作。
(2)石墨坩埚温度的检测
采用短波长单色测温仪来测量石墨坩埚的温度。推荐产品:DCTQ1-XX(链接DCTQ系列单色红外测温仪)或者经济款产品DCTQ(链接SN系列单色红外测温仪)。
两款产品采用1:1绿色光源对准目标,并采用可调焦镜头(不受安装距离远近的限制),温度分辨率为0.1℃,具有极高的温度稳定性。

在使用场合有防爆要求时,在石墨坩埚的区域推荐使用光纤式单色红外测温仪。推荐产品:DCTQ1-XX光纤式单色测温仪)。采用可调焦镜头和红色激光光源瞄准,温度分辨率为0.1℃,具有极高的温度稳定性。


产品特点

² 测温范围覆盖250℃~3000℃(工作温度可选)

² 测温精度可达0.5%,重复精度为2℃,部分产品分辨率达0.1℃

² 响应时间10ms~99.99s可调

² 采用可调焦镜头,测量距离0.35m至无穷远

² 对探测器采用PID恒温控制,消除环境温度对测量的影响

² 1:1高亮度绿色LED光源或可视目镜,清晰显示被测目标 的位置及大小

² 兼具双色和单色测温功能

² 双色模式下,有镜头脏检测功能

² 采用工业级OLED屏为显示界面,人机界面友好

² 丰富的外设接口:2路独立的模拟量输出、2路报警输出、1路电平输出以及1路RS485通讯接口。

² 软硬件等抗干扰设计提高系统稳定性,可抗2500VDC脉冲群干扰

² 有抗氧化测量功能,测量时不受氧化物的影响

技术参数

型号

RF-4A-25

测温范围(℃)

800~2500(分段)

主要应用

热轧、线 棒材、金属锻造、铸造、真空炉、感应加热 、溶化的玻璃、水泥窑、半导体

距离系数

100:1

测量距离

0.35m至无穷远可调

测量精度

±0.5%T

分辨率

0.1℃

重复精度

±2℃

单色系数

0.100~1.000,步距0.001可调。

双色系数

0.850~1.150,步距0.001可调。

响应时间

5ms~99.99s可调

信号处理

峰值、谷值、平均值,环境温度过高过低报警,单色、双色可切换,掉电保护等功能

输出

多种模拟量输出16bit (4mA~20mA,0mA~20mA,0V~5V,0V~10V可选), 分辨率0.1℃,电流环输出负载600Ω,电压输出允许电流10mA

模拟量12bit输出4mA~20mA,分辨率1℃,电流环输出负载600Ω

报警输出:上限、下限报警,采用光耦继电器使用寿命制,

导通电阻≤25Ω,允许电压AC60V或DC60V,允许电流120mA,响应时间2ms

PNP电平输出(输出电流100mA,带过载保护)

RS485输出,可实现参数修改,数据记录和查询等功能

显示方式

采用工业级自发光OLED显示屏

供电电源

DC(20~30)V,带过压、过流、短路保护,功耗:5W(24V@200mA) 内置EMI滤波器,可抗2500VDC脉冲群的干扰。

预热时间

内置恒温加热器,通电10min后测温

瞄准方式

内置可见高亮度绿灯或目镜瞄准

接口

采用德国binder密封插头和12芯屏蔽电缆(长度2.5m)

使用环境

不带水冷:-30℃~+55℃,吹扫压力为0.1MPa,流量为6L/ min 带水冷:-30℃~+120℃, 冷却水压力为0.2MPa,流量为2L/min

防护等级

IP65

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