非接触窑炉燃烧室高温激光瞄准红外双色测温仪
高温比色测温仪 红外线测温仪双色非接触固定式0.5级 高精度 在线式红外线测温仪 温度
Ex防爆型在线式红外测温仪+激光瞄准
Ex防爆型激光瞄准在线式红外测温仪 使用说明
Ex隔爆型同轴激光瞄准在线式红外测温仪(1000-2400℃ )
Ex隔爆型红外测温仪具备精确激光瞄准功能,可以方便的对正测量目标并指示的测量距离。为用户提供使用方便、高可靠性的测量手段。特别适合中频加热,高频加热等接触式无法测量的环境。
激光指示测量方位,可调焦镜最小聚焦可测2毫米
光斑指示测量位置(200聚焦2mm和500聚焦3mm)
坚实耐用的传感头符合IP66标准
发射率可调节
4-20mA和数字同时输出可选
隔爆等级:ExdIIBT6/ExdIICT6
主要应用领域
印刷、造纸、层压、干燥、加工食品、纺织、制药、冶金、窑炉、平板玻璃、耐火材料、加热炉、需要防爆的场所。
基本参数
环境等级: IP66
环境温度 : 0-60℃
储存温度: -20-80℃
相对湿度 :10-95%,不结露
外形尺寸:¢140mm×380mm
重量: ≤5.5kg
测量参数
温度量程 :1000-2400℃
测量波长 : 1.0μm
距离系数 :150:1
系统精度 :±1.5%或±2℃(取大值)(环温:23±5℃)
重复精度: ±0.5%或±1℃(取大值)(环温:23±5℃)
温度分辨率:0.5℃
响应时间 : <5ms
发射率: 0.100-1.099 步长0.001
电参数
模拟输出: 4-20mA
环路阻抗:750Ω(24VDC时)
电源供应 : 24VDC 100mA
通过红外测温仪来测量棒线材的温度,测量时目标快速移动、目标有抖动、表面状态不均匀(如螺纹钢)、又可能测量小目标(如5mm),工业现场环境恶劣,灰尘、粉尘、水蒸气等因素,都会影响测温的准确性。
推荐使用双色红外测温仪来测量棒、线材加工的温度。思捷光电的双色红外测温仪即使目标被遮挡95%,也不会对测量结果有影响,能有效地克服水蒸气的影响。最小检测目标可达2mm,测量大目标物体时,目标物体的头部和尾部,自动调整信号的阀值状态,避免虚假信号输出。双色红外测温仪响应时间为10ms,单色红外测温仪响应时间为5ms,可以快速的跟踪温度的连续变化。
轧线 棒线材双色红外测温仪标配不锈钢防护套(带吹扫和冷却功能),设备防护等级IP65,适用于各种工业场合。1:1的LED瞄准灯,精确地指示出目标的大小及焦距,脏镜头检测功能,可提前发出信号,使设备达到基本免维护的状态。
轧线 棒线材双色红外测温仪
推荐产品选型:
DCTQ2-7017 用于粗轧、精轧、吐丝机位置的温度检测。
DCTQ1-3514 用于穿水冷却、吐丝机位置的温度检测。
DCTQ-3014 用于一般场合位置的温度检测。
DCTQ-1007 用于冷床温度的检测。

关键词:轧线棒材钢坯双色测温仪 金属注射成型烧结炉红外测温仪 真空氢气炉红外测温仪 真空热压炉红外测温仪 核管退火炉红外测温仪 晶体材料红外测温仪 晶体材料红外线测温仪 氮化硅气压炉红外测温仪 氮化硅气压炉红外测温仪 碳化钨气压炉红外测温仪 CVD 化学气相沉积炉 石墨纯化红外测温仪 旋转粉末烧结炉红外测温仪 真空感应熔铸炉红外测温仪 热风炉拱顶红外双色测温装置
石墨坩埚晶体硅液面双色高温计
多晶硅铸锭炉红外测温仪 生产厂家
RF-4A14石墨坩埚光纤式红外线测温仪
DCTQ1-7014多晶硅液面温度红外测温仪
DCTQ2-3514多晶硅液面温度测量仪
1、概述
多晶硅是单质硅的一种形态,其纯度要比单晶硅低,它可作拉制单晶硅的原料。多晶硅由多晶硅铸锭炉生产出来。
多晶硅的生产是把高纯多晶硅料装入到铸锭炉中,抽真空后,将硅料熔化成液态,通过铸锭炉的自动化的操作,使硅料形成一个竖直温度梯度。液态硅自下向上缓慢地重新结晶,生成一块大晶粒的多单晶体的铸锭硅来。硅锭经过退火、冷却后出炉完成整个铸锭过程。
目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有:改良西门子法、硅烷法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的80%。生产工艺以改良西门子法为例:
(1)装料
将装有涂层的陶瓷坩埚放置在热交换台(冷却板)上,放入适量的硅原料,然后安装加热设备、隔热设备和炉罩,将炉内抽真空,使炉内压力降至(0.05-0.1)mbar并保持真空。通入氩气作为保护气,使炉内压力基本维持在(400~600)mbar左右。
(2)加热
利用石墨加热器给炉体加热,首先使石墨部件(包括加热器、坩埚板、热交换台等)、隔热层、硅原料等表面吸附的湿气蒸发,然后缓慢加温,使陶瓷坩埚的温度达到1200℃~1300℃左右,该过程约需要4h~5h。
(3)化料
通入氩气作为保护气,使炉内压力基本维持在(400~600)mbar左右。逐渐增加加热功率,使陶瓷坩埚内的温度达到1500℃左右,硅原料开始熔化。熔化过程中一直保持1500℃左右,直至化料结束。该过程约需要9~11h。
(4)晶体生长
硅原料熔化结束后,降低加热功率,使陶瓷坩埚的温度降至1420℃~1440℃硅熔点左右。陶瓷坩埚逐渐向下移动,或者隔热装置逐渐上升,使得坩埚慢慢脱离加热区,与周围形成热交换;同时,冷却板通水,使熔体的温度自底部开始降低,晶体硅首先在底部形成,并呈柱状向上生长,生长过程中固液界面始终保持与水面平行,直至晶体生长完成,该过程约需要20h~22h。
(5)退火
晶体生长完成后,由于晶体底部和上部存在较大的温度梯度,因此,晶锭中可能存在热应力,在硅片加工和电池制备过程中容易造成硅片碎裂。所以,晶体生长完成后,晶锭保持在熔点附近2h~4h,使晶锭温度均匀,以减少热应力。
(6)冷却
晶锭在炉内退火后,关闭加热功率,提升隔热装置或者完全下降晶锭,炉内通入大流量氩气。使晶体温度逐渐降低至室温附近;同时,炉内气压逐渐上升,直至达到大气压,最后去除晶锭,该过程约需要10h。
对于重量为250~300kg的铸造多晶硅而言,一般晶体生长的速度约为(0.1~0.2)mm/min,其晶体生长的时间约35~45h。
2、多晶硅红外温度测量
硅材料是比较难测的物体,硅辐射的温度与发射率的对应关系如上图。硅的发射率在某个特定区域内是不变的。需要红外测温仪采用特殊的窄带滤色片来减小发射率变化的影响。
(1)多晶硅液面温度测量
采用短波长双色测温仪来测量多晶硅液面的温度。推荐产品:DCTQ1-7XXX(链接DCTQ系列双色红外测温仪),温度分辨率为0.1℃,温度场内的微小变化都能快速响应,并具有极高的温度稳定性。
采用比色测温的方法,可以避免硅料直径变化的影响。视窗的污染,也不会影响测温的准确性。并有脏镜头检测功能,镜头太脏时会提前发出信号,保证系统可靠工作。
石墨坩埚光纤式红外测温仪产品特点如下:
测温精度可达0.5%,重复精度为2℃,温度分辨率达0.1℃(16bit)
响应时间10ms~99.99s可调
采用可调焦镜头,测量距离0.35m至无穷远
对探测器采用PID恒温控制,消除环境温度对测量的影响
可视目镜,清晰显示被测目标的位置及大小
兼具双色和单色测温功能
双色模式下,有镜头脏检测功能
采用工业级OLED屏为显示界面,人机界面友好
软硬件等抗干扰设计提高系统稳定性,可抗2500VDC脉冲群干扰
使用场合有防爆要求时,在测量液面的区域,推荐使用光纤式双色红外测温仪。推荐产品:SN-7018(链接SN系列光纤式双色测温仪)。采用可调焦镜头和红色激光光源瞄准,温度分辨率为0.1℃,具有极高的温度稳定性。采用比色测温的方法,可以避免硅料直径变化的影响。视窗的污染,也不会影响测温的准确性。并有脏镜头检测功能,镜头太脏时会提前发出信号,保证系统可靠工作。
(2)石墨坩埚温度的检测
采用短波长单色测温仪来测量石墨坩埚的温度。推荐产品:DCTQ1-XX(链接DCTQ系列单色红外测温仪)或者经济款产品DCTQ(链接SN系列单色红外测温仪)。
两款产品采用1:1绿色光源对准目标,并采用可调焦镜头(不受安装距离远近的限制),温度分辨率为0.1℃,具有极高的温度稳定性。
在使用场合有防爆要求时,在石墨坩埚的区域推荐使用光纤式单色红外测温仪。推荐产品:DCTQ1-XX光纤式单色测温仪)。采用可调焦镜头和红色激光光源瞄准,温度分辨率为0.1℃,具有极高的温度稳定性。
• 测温范围500~3300°C(量程可选)
• 线性温度输出 0/4 ~ 20mA
• 内置RS485通信接口
• 内置激光瞄准或视频瞄准
• 不锈钢外壳坚固耐用
• 短响应时间5 ms
• 小测量光斑3.5mm
技术数据
测温范围
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500~1200°C
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500~1200°C
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600~1400°C
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600~1400°C
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700~1800°C
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700~1800°C
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800~2500°C
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800~2500°C
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900~3000°C 或1000~3300°C
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900~3000°C或1000~3300°C
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子测温范围
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在测温范围内可调, 小跨度50°C
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光谱范围
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0.7 μm ~ 1.1 μm
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光学系数
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固定焦距(650, 2000, 4000)1,小可测光斑直径为3.5mm
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距离系数
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50:1 (500~1200°C), 100:1 (600~1400°C) ,200:1(其它温度范围)
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测量误差2
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0.5 %测量值(°C)
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重复精度
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0.1%测量值(°C)
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NETD2
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0.1°C
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响应时间(t95)
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小5ms,可调,可达100s
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比色系数(坡度)
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0.800 ~ 1.200
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发射率
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0.050~1.000, 可通过接口或测温仪上的按钮调整
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透过率
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50 % ~ 100 %
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存储方式
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小值和大值存储,通过通信接口可调
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环温补偿
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在测温范围内可调
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输出信号
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0/4~20 mA, 通过软件调整,线性温度
大负荷: 700 Ω
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通信接口
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电隔离RS485接口,半双工,大115 kBd,数据通信协议 Modbus MTU
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瞄准方式
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激光瞄准
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视频瞄准
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切换输出/切换阈值
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1 光耦继电器, RLoad 小48 Ω (电隔离)/在测温范围内可调
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软件
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Windows®下PYROSOFT Spot,可选PYROSOFT Spot Pro
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可调参数
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通过通信接口或设备可调: 发射率、透过率、环温补偿、响应时间、数据存储设置、子测温范围、切换输出的切换阈值
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供电电源
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24 VDC ± 25%
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功耗
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大1.5 W (在切换输出处无负荷)
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运行温度
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0~70°C
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存储温度
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–20~70°C
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重量
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约 600 g
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外壳和尺寸
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不锈钢圆形外壳,带插头,长度 约105 mm, ∅ 50 mm
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测试规则
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EN 55 011:1998, limit class A
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防护等级
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IP65 符合 DIN EN 60529 和 DIN 40050
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CE认证
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遵守EU规则(EN 50 011)
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供货范围
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操作手册, 检测单, 软件PYROSOFT Spot, 无连接电缆(请单独订货)
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1 其它固定焦距可按要求定制,如220 mm, 200 : 1. 2 技术指标经过黑体炉标定, T环温 = 23°C, t95 = 1 s. 3 噪声等温差。附件:
附件:电气、机械和光学附件
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长度: 2m, 5m, 10m, 15m, 20m, 25 m 或 30 m
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长度: 2m, 5m, 10m, 15m, 20m, 25 m 或 30 m
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RS-485转USB接口
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24VDC,0.6A
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可调
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不锈钢,吹扫空气0.1~0.5Bar,无油
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含空气吹扫器,不带安装支架
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带石英玻璃窗口
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带蓝宝石窗口
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视频/USB
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3.5“ ,带2米连接电缆
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红外测温仪调整参数用的手持式编程器
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